Intel и SoftBank раскрыли характеристики памяти ZAM
Технология разрабатывается как энергоэффективная и высокоемкая замена памяти HBM, ориентированная в первую очередь на системы искусственного интеллекта. Выход стандарта на стадию массового производства ожидается в период с 2028 по 2030 год.
Согласно заявленным характеристикам, ZAM сможет предложить пропускную способность, вдвое превышающую показатели HBM4, и будет конкурировать со стандартом HBM4E.
Демонстрационный образец ZAM имеет 9-слойную структуру: восемь слоев памяти DRAM и базовая кремниевая подложка, на которой расположен единый логический контроллер, обслуживающий весь стек. Толщина кремниевой прокладки между слоями DRAM составляет всего 3 микрона.
Для передачи данных используются три основных слоя сквозных кремниевых соединений с применением технологии гибридного монтажа. Каждый слой содержит 13,7 тысячи TSV-контактов. Объем одного слоя памяти составляет 1,125 ГБ, что обеспечивает емкость около 10 ГБ на один стек и 30 ГБ на весь чип.
Площадь стека ZAM составляет 171 мм² (15,4 × 11,1 мм). При этом плотность пропускной способности достигает 0,25 Тбит/с на 1 мм², что дает общую пропускную способность на уровне 5,3 ТБ/с на один стек.
Хотя HBM в настоящее время является доминирующим стандартом для графических ИИ-процессоров, ее дальнейшее масштабирование сталкивается с физическими ограничениями: ростом энергопотребления и проблемами с охлаждением.
Разработчики ZAM утверждают, что их архитектура решает эти проблемы за счет трех ключевых факторов: высокой плотности, широкой пропускной способности и низкого энергопотребления.
Среди главных преимуществ технологии выделяют:
- вертикальную архитектуру, позволяющую эффективно рассеивать тепло, в то время как в HBM оно скапливается из-за слоев внутренней проводки
- возможность объединения более 9 слоев за счет использования сверхтонкой кремниевой подложки и продвинутых TSV-соединений
- использование беспроводного I/O с магнитной связью и передовых методов упаковки для дальнейшего масштабирования
В перспективе проект ZAM нацелен на создание плотного дизайна 3D-памяти с применением технологий 3.5D-компоновки. Это позволит разместить на одной подложке как вертикальные, так и горизонтальные структуры, объединив высокоскоростную память, шины питания, элементы кремниевой фотоники и стандартные интерфейсы ввода-вывода.
Залогиньтесь, чтобы писать комментарии