Япония профинансирует разработку памяти ZAM от Intel и SoftBank
Японская организация по развитию новых энергетических и промышленных технологий одобрила государственное финансирование проекта ZAM. Эта технология разрабатывается японским подразделением Intel совместно с SAIMEMORY (дочерним предприятием SoftBank) и позиционируется как стандарт памяти следующего поколения, способный стать альтернативой HBM.
Государственные субсидии позволят форсировать 3,5-летний план по созданию ZAM. Главная цель проекта — решение проблемы дефицита памяти в быстрорастущих сегментах искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. К работе над коммерциализацией и масштабированием производства планируется привлечь широкую сеть японских и международных партнеров из технологических цепочек поставок.
С технической точки зрения Z-Angle Memory разрабатывается с упором на высокую плотность, широкую пропускную способность и энергоэффективность. Ожидается, что ZAM будет потреблять на 40–50% меньше энергии по сравнению с аналогами, а упрощенная архитектура облегчит производственный процесс.
Плотность памяти сможет достигать 512 ГБ на один чип. Конструктивно модуль представляет собой плотно скомпонованные слои микросхем DRAM, объединенные интерконнектом Z-Angle. К основному вычислительному чипу стек будет подключаться с помощью технологии упаковки EMIB.
Выпуск ZAM станет для Intel первым коммерческим продуктом в сегменте памяти за несколько десятилетий. Примечательно, что на ранних этапах своей истории Intel была одним из лидеров этого рынка, однако впоследствии была вытеснена японскими конкурентами, которые сегодня содействуют возвращению компании в данную индустрию.
Залогиньтесь, чтобы писать комментарии