Samsung разрабатывает мобильный процессор следующего поколения — Exynos 2700

Главным нововведением чипа станет отказ от традиционного слоистого расположения компонентов в пользу архитектуры Side-by-Side (SBS), что в сочетании с доработанной системой охлаждения обеспечит существенный рост пропускной способности памяти.
Ожидается, что основой для Exynos 2700 послужит новый производственный узел Samsung SF2P. Это усовершенствованная версия 2-нанометрового техпроцесса, применявшегося в чипе Exynos 2600. Технология использует архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA), в которой затвор полностью, с четырех сторон, охватывает канал, состоящий из вертикально уложенных нанолистов.
Такое решение улучшает контроль над током и снижает рабочее напряжение. По предварительным данным, переход на техпроцесс SF2P обеспечит прирост общей производительности на 12% и снижение энергопотребления на 25% по сравнению с базовым узлом SF2.
Ключевые изменения коснутся физического устройства процессора. В актуальном чипе Exynos 2600 применяется так называемый «сэндвич-дизайн»: оперативная память устанавливается поверх самого кристалла, а сверху эту конструкцию накрывает медный теплоотвод. Хотя этот подход повысил термостабильность чипа, часть тепла всё равно задерживалась между процессором и слоем памяти.
В новом чипе Samsung намерена применить технологию упаковки Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP). Это позволит разместить чипы оперативной памяти не над процессором, а рядом с ним на единой подложке.
Такая архитектура дает сразу несколько преимуществ:
- Благодаря значительному сокращению длины соединительных каналов между SoC и RAM, пропускная способность памяти увеличится на 30–40%, одновременно повысив энергоэффективность системы
- Расположение элементов в одной плоскости позволит установить радиатор HPB таким образом, чтобы он напрямую контактировал и с процессором, и с чипами памяти. Это должно кардинально решить проблему отвода тепла
Улучшенная система охлаждения в предыдущей модели Exynos 2600 уже позволила Samsung превзойти конкурирующий чип Snapdragon 8 Elite Gen 5 от Qualcomm по показателям термостабильности. Ожидается, что переход на архитектуру Side-by-Side в Exynos 2700 поможет компании еще больше укрепить позиции в вопросах энергоэффективности и температурного контроля.
Залогиньтесь, чтобы писать комментарии