Samsung создала первый в мире работающий чип DRAM по техпроцессу менее 10 нм
Новая технология, получившая название 10a, предполагает масштабирование до уровня 9,5–9,7 нм, что позволяет преодолеть существующий отраслевой барьер.
Основой для преодоления 10-нанометрового предела стали два ключевых нововведения: архитектура ячеек 4F Square Cell и транзисторы с вертикальным каналом. Переход от традиционной прямоугольной структуры 6F (3F × 2F) к квадратной 4F (2F × 2F) позволит производителям увеличить плотность размещения ячеек на 30–50% в рамках одного чипа. Такое решение не только значительно повышает емкость памяти, но и снижает ее энергопотребление.
Кроме того, в новой DRAM-памяти будут применяться современные материалы. На смену традиционному кремнию придет оксид индия-галлия-цинка. Его использование позволит минимизировать токи утечки в суженных ячейках и обеспечит надежное сохранение данных.
Ожидается, что Samsung завершит разработку техпроцесса 10a уже в этом году, однако старт массового производства запланирован на 2028 год. В дальнейшем архитектура будет совершенствоваться в поколениях 10b и 10c. Очередной крупный технологический скачок намечен на 2029–2030 годы: поколение 10d ознаменует переход отрасли к трехмерной памяти (3D DRAM).
Залогиньтесь, чтобы писать комментарии