Морда 30 марта

Default

Samsung планирует освоить 1-нанометровый техпроцесс

Ожидается, что этап исследований и разработок завершится к 2030 году, а коммерческое производство по новой технологии стартует в 2031-м.

Переход от 2-нм к 1-нм техпроцессу потребует существенных архитектурных изменений. В актуальных 2-нанометровых решениях Samsung использует технологию Gate-All-Around (GAA). Она повышает энергоэффективность за счет расширения путей прохождения тока с трех до четырех каналов. Однако для преодоления 1-нанометрового барьера традиционного GAA-подхода окажется недостаточно.

Для массового производства чипов тоньше 2 нм Samsung применит структуру под названием Forksheet. Эта технология подразумевает создание диэлектрического барьера между транзисторами GAA, что позволяет размещать их гораздо ближе друг к другу. Данный подход сравнивают с уплотнением жилой застройки: если убрать газоны между соседними домами, на той же территории можно возвести больше зданий. Таким образом, Forksheet позволит существенно увеличить плотность размещения транзисторов на прежней площади чипа.

Прежде чем перейти к 1-нм нормам, подразделению Samsung предстоит решить текущие проблемы с эффективностью существующих решений. На данный момент фирменный 2-нанометровый процессор Exynos 2600 сталкивается со скачками энергопотребления — в бенчмарках уровня Geekbench 6 этот показатель может достигать 30 Вт.

Из-за этого время автономной работы смартфона Galaxy S26 на базе конкурирующего чипа Snapdragon 8 Elite Gen 5 оказывается на 28% больше, чем у версии с процессором Exynos 2600. Ожидается, что компания попытается исправить эти недостатки в 2-нм техпроцессе второго поколения, получившем номенклатуру SF2P.